IXTQ 200N06P
225
200
175
150
Fig. 7. Input Adm ittance
100
90
80
70
Fig. 8. Transconductance
125
100
75
50
25
0
T J = 150 o C
25 o C
-40 o C
60
50
40
30
20
10
0
T J = -40 o C
25 o C
150 o C
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
0
25
50
75
100 125 150 175 200 225 250
350
V G S - Volts
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
300
250
200
150
9
8
7
6
5
4
V DS = 50V
I D = 100A
I G = 10mA
100
50
0
T J = 150 o C
T J = 25 o C
3
2
1
0
0.4
0.6
0.8 1
V S D - Volts
1.2
1.4
1.6
0
25
50 75 100 125 150
Q G - nanoCoulombs
175
200
100,000
Fig. 11. Capacitance
1000
Fig. 12. Forw ard-Bias
Safe Operating Area
f = 1MHz
R DS(on) Limit
100μs
10,000
1,000
100
C iss
C oss
C rss
100
10
T J = 175 o C
T C = 25 o C
DC
10ms
1ms
0
5
10
15 20 25
V DS - Volts
30
35
40
1
10
V D S - Volts
100
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
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